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NXP Semiconductors
PESDxS4UD series
Quadruple ESD protection diode arrays in a SOT457 package
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
-
-
-
-
-
300
80
0.05
0.05
0.05
800
200
15
15
15
nA
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
5.3
6.4
12.5
15.5
25.5
5.6
6.8
14.5
18
27
5.9
7.2
16
20.5
29
V
V
V
V
V
PESDXS4UD_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 August 2009
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